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BALLUFF电容式接近开关作用BCS004T

电容式接近开关基于电容器极板间介电常数变化的原理工作，其测量头与接地外壳构成电容器两极板。当被测物体接近时，无论是否为导体，均会引起电容量变化触发开关动作。该设备可检测金属、塑料、液体等材料，检测距离与物体介电常数正相关。

开关输出端  PNP常开触点//常闭触点 (NO/NC)，可编程

开关频率  100 Hz

作用范围  1~20 mm

灵敏度  开关距离可校准

外壳材料  不锈钢 (1.4301)

感应面，材料  PBT

环境温度  -30...70 °C

工作电压Ub 10~35 VDC 

尺寸  ? 30 x 87 mm

型号系列  M30

螺纹 (A)  M30x1.5

安装  齐平

接口  插接器，M12x1公头，4针

同心圆电极结构是典型设计方案，外侧电极接地形成屏蔽层，内侧电极作为有效检测面。这种构造可降低环境湿度、粉尘对检测精度的影响。对于低介电常数材料，可通过调节电位器提升灵敏度至标准值的80%

BALLUFF电容式接近开关作用BCS004T

BALLUFF磁滞伸缩直线位移传感器的功能在于把直线机械位移量转换成电信号。为了达到这效果，通常将可变电阻滑轨定置在传感器的固定部位，通过滑片在滑轨上的位移来测量不同的阻值。传感器滑轨连接稳态直流电压，允许流过微安培的小电流，滑片和始端之间的电压，与滑片移动的长度成正比。将传感器用作分压器可zui大限度降低对滑轨总阻值性的要求，因为由温度变化引起的阻值变化不会影响到测量结果。 霍耳式位移传感器 它的测量原理是保持霍耳元件（见半导体磁敏元件）的激励电流不变，并使其在个梯度均匀的磁场中移动，则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大，灵敏度越高；梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统：a系统的线性范围窄，位移Z=0时，霍耳电势≠0；b系统当Z<2毫米时具有良好的线性，Z=0时,霍耳电势=0；c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极?；舳轿灰拼衅鞯墓咝孕　⑵迪旄?、工作可靠、寿命长，因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。

BMF12M-PS-D-2-S 4 BMF21-HW-10-E BMF21-HW-10
BMF303-HW-28 BMF303-HW-30 BMF303-HW-31
BMF305-HW-17 BMF305-HW-20 BMF305-HW-21 HW-10
BMF305K-PS-C-2-PU-05 BMF305K-PS-C-2-S 4-00,2 BMF305K-PS-C-2-S 4-00,5
BMF 315K-PO-C-2-SA2-S49- BMF 315K-PS-C-2-PU- BMF 315K-PS-C-2-SA2-S49-
BLE12M-PA-1PD-S 4-C BLE15K-R-F5-02 BLE15K-R-F5-P-S 75
BLE15K-S-F5-02 BLE15K-S-F5-P-S 75 BLE18E-PS-1P-E5-D-S 4
BLE18E-PS-1P-SA 1-S 4 BLE18K-5-F8-35-02 BLE18K-5-F8-37-S 4
BLS25K-1-G5-02 BLS25K-5-G5-02 BLS25K-5-G5-S 4
BLS35K-XX-1H-S 4-L BLS36K-XX-1T-S 4-C BLS65K-1-G50-1
BOS18KR-PA-1HA-S 4-C BOS18KW-NA-1HA-C-02 BOS18KW-NA-1HA-S4-C
BOS18M-PO-1RB-E5-C-S 4 BOS18M-PO-1RD-E4-C-03 BOS18M-PO-1RD-E5-C-S 4